一个电容器，在 50Hz 频率下测得容抗为 100 欧姆。推断其在 5MHz 下的容抗应为 0.001欧姆，但实测值却显著偏大。这是因为：

理论上，电容器的容抗公式为 Xc = 1/(2πfC)，容抗与频率成严格反比。频率从 50Hz 升高到 5MHz（升高 100,000 倍），理论容抗确实应降至 0.001 欧姆。但在高频环境下，实际电容器不能再被视作单一的理想元件。 实际电容器存在分布参数，其等效电路包含了等效串联电感（主要来自引线）和等效串联电阻（包含介质损耗等）。当频率急剧升高时，引线产生的感抗（Xl = 2πfL）会显著增大并抵消部分容抗；同时高频下的介质损耗也会明显增加。这两者叠加，使得仪器测得的总阻抗显著大于纯理论计算的理想容抗。 对于干扰选项，容抗的基础物理计算公式在任何频率下都是适用的（排除D），只是高频下测量的不再是单纯的“容抗”而是总阻抗；此外，这种现象属于电子元件固有的高频物理特性，并非仪器特性欠佳所致（排除C）。