若将器件上起控制作用的电极按输入阻抗由低到高排列，则可以是：

比较放大器件控制极的输入阻抗，需要看它们的物理结构和工作原理。双极型晶体管（BJT）的基极需要正向偏置的PN结，有实际的基极电流流过，因此其输入阻抗最低，通常在几百到几千欧姆级别。 结型场效应管（JFET）的栅极与沟道之间是一个反向偏置的PN结，只有极小的反向漏电流流过，因此输入阻抗较高，通常在几十到几百兆欧姆左右。 绝缘栅场效应管（MOSFET）的栅极与沟道之间隔着一层二氧化硅绝缘层，没有任何直流电连接，输入阻抗极高，可以达到甚至超过10的12次方欧姆。因此按阻抗从低到高的顺序排列，依次是双极型晶体管基极、结型场效应管栅极、绝缘栅场效应管栅极。