若将器件上起控制作用的电极按输入阻抗由低到高排列，则可以是：

双极型晶体管（BJT）是电流控制型器件，其控制电极（基极）与发射极之间通常处于正向偏置状态，犹如正向导通的二极管，因此输入阻抗在这三种器件中最低。 结型场效应管（JFET）属于电压控制型器件，它的控制电极（栅极）依靠PN结的反向偏置工作，反向电流极小，具有较高的输入阻抗（通常在兆欧级别）。 绝缘栅场效应管（MOSFET）同样是电压控制型器件，但它的栅极与导电沟道之间有一层二氧化硅绝缘层进行物理隔离，几乎没有电流通过，使其输入阻抗极高（远高于JFET）。因此，按输入阻抗由低到高排列依次为双极型晶体管基极、结型场效应管栅极、绝缘栅场效应管栅极。